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真空電弧弧后電流研究
發(fā)布時間:2017-06-08 閱讀:

 


西安交通大學    王季梅董風宇


摘要真空電弧弧后電流的測量及其測量結果分析.并采用了兩種不同電極材料和兩種 不同結構型式的國產真空滅弧室作為試樣來闡述對弧后電’充的影響•最后根據(jù)這些試驗結果來解 釋弧后電流的待性.

Abstract Messuremen t of post arc currents in vacuum circuit - breakers • Tw kinds of electrode materials and two types of electrodes were used to elucidate effects of the electrode materials and the types on post arc current. TIie chara t eristics of post arc current are ex plained by referring t those results.


用真空滅弧室分斷大電流時,有時亦會 出現(xiàn)明顯的•弧后電流•。在真空中出現(xiàn)弧 后電流的主要原因是由于在分斷大電流時, 當電流過零瞬間,電極間還存在著足夠的剩 余等離子體,并且同時有較高頻率的瞬態(tài)恢 復電壓加于真空滅弧室電極間而引起的。盡 管分析這些現(xiàn)象比較復雜,因為它與真空滅 弧室電極的結構、觸頭材料和瞬態(tài)恢復電壓 的性質等有關,但對研究真空滅弧室外特性 及其現(xiàn)象具有現(xiàn)實意義,

國夕卜研究者Reece、Farrall,Kimb-

lin、MorimiyaYanabuU_2.3.4等,曾

對真空電弧的弧后電流作了大量的研究工 作,據(jù)供了許多十分有用的資料。本文對幾 種國產的真空滅弧室作了初步研究,其研究 結果可供我國現(xiàn)有的真空滅弧室設計者和真 空電弧機理的研究者參考。

一、試驗方法

1.試驗線路

測量弧后電流的試設..¾路如圖1所不。 線路由L1C1-L2C:組地的威爾合成回路。

用來調節(jié)恢復電壓的速率,廠/為被試真 空滅弧室,Sk為測量弧后電流的分流器•試


圖1 測量弧后電流的線路圖


驗步驟如下:開始時關合廠J1,有一引弧電流 (大約50?1G0A)通過F/,然后分斷被試真空 滅弧室F八輔助開關F/,和直到觸頭達 到全分斷位置,隨即將主開關廠A閉合。這時 主電弧電流引入K/,整個電流的變化過程如 圖2所示。當主電弧電流接近電流零點前,觸 發(fā)點火球隙7\。由C2放電提供一個所需的 山7心(頻率為500Hz)的電流,此電流與主電 弧電流疊加,最后在被試真空滅弧室電極間 出現(xiàn)恢復電壓過程。

分流器SAi兩端并聯(lián)有輔助開關FZ4, 當主電弧電流通過這個節(jié)點時,極大部分電 流引入,而只有極小部分電流旁路Mt. 分流器的響應時間實測值小于〇.25外, 阻值為170.5mQ。用雙通道記憶示波器記 錄孤后電流和恢復電壓,


A


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2 •試驗滅弧室結掏

對四種不同結構的真空滅弧室作為試 品,進行了試驗研究:(1 )無磁場作用平 板形結構純銅觸頭:(2)有1/2匝線圈縱 破結構的純銅觸頭;(3)有1/2匝線圈縱 磁結構的CuCr觸頭,其中Cr含量為5〇夯; (4)有1/2匝線圈縱磁結構的CuCr觸頭, 其中Cr含量為25哚。觸頭直徑均為60mm, 開距均為Wmina

二、試驗結果和分析

四種不同結構和觸頭材料試驗結果如圖 3、圖4、圖5和圖6所示。從圖中可以看 出,在相同的恢復電壓速率下,無磁場作用

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圖3無磁場作用、平板形結構、純銅觸 頭,恢復電壓速率5kV//iS弧后電 流與開斷電流的關系 (X表示發(fā)生擊穿)

平板形結構純銅觸頭,弧后電流最大。1/2

匝線圈縱磁結構的純銅觸頭,弧后電流其 次。Cr含量為50%觸頭,弧后電流第三。 而Cr含量為25鋅的的觸頭,弧后電流最小。



4  1/25租線圍紙班結構、純銅敢頭,恢

復電壓速率5fcV/ns弧后電流與開 斷電流的關系 (X表示發(fā)生擊穿)



圖5  1/2匝線圈縱磁結構、Ci■含置5〇務

觸頭,恢復電壓速率5kV/ns弧后 電流與開斷電流的關系 (X表示發(fā)生擊穿)



圖6  1/2匝線圈縱磁結構、Cr含童25 %

觸頭,恢復電壓速率5kV/ns弧后 電流與開斷電流的關系 (X表示發(fā)生擊穿)


所有試品在開斷失敗前均出現(xiàn)了弧后電流大 輻度增加的現(xiàn)象。由此可以推知,當弧后電 流開始有明顯增加時,意味著真空滅弧室即 將達到開斷極限。

在電壓恢復速率為SkV/^s時,弧后電 流的持續(xù)時間一般為1〇化,但當開斷電流增

• 9 •


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至接近出現(xiàn)開不斷時,持續(xù)時間顯著增長, 同時出現(xiàn)弧后電流與恢復電運同頻振蕩,如 7所示。該圖對應的開斷電寧大約為 26kA,而在緊接著的W?2SkA時開始發(fā)生 開不斷現(xiàn)象如圖8所示。



 


圖7   I/2匝線圈縱磁結構、CuCr觸頭、

Cr含量5〇 %弧后電流示波圖,開 斷電流26kA, IP = 2.9A/格, ■Vs=8kV/格,t = lns/格



圖8   1/2匝線圈縱磁結構、CuCr觸頭、

Cr含暈為5〇 %弧后電流產生的同時 發(fā)生擊穿的示波圖,開斷電流為 27.5kA , 1;= = 5.8人/格,Vs =

8kV/格,.t,= lns/格.  ,

試驗還指出:弧后電流對電壓恢復速率 極為敏感。當電壓恢復速率為1.2kV/叫時, 盡管開斷電流増至很大,直至發(fā)生陽極斑點 現(xiàn)象而開不斷電流時,出現(xiàn)弧后電流很小或 幾乎沒有出現(xiàn)弧后電流。當電壓恢復速率為 5kV/_;us時,弧后電流大約在1?2A的范圍。 當電壓恢復速率為6kV/抑時,弧后電流將 増加到5?6A的范圍,如圖9所示。

• 10 •



Cr含量25 %,弧后電流實驗曲線


IOa所示為1/2匝線圈縱磁結構、Cr 含量25%觸頭,在開斷22kA以下電流情 況下的弧后電流典型波形圖,弧后電流在第 一個半波后就迅速衰減。圖1〇^所示為同 樣結構和同樣觸頭材料,在開斷電淹為2SkA 時的弧后電流典型波形圖,弧后電流在第二



(a ) 1/2匝線圈級磁結構、Cr含量25 %觸 頭、開斷電流22kA.



(b )同圖IOa開斷電流為25kA



圖10


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個半波時,還存在較大的數(shù)值。圖10c) 所示為同樣結構和同樣觸頭材料,在開斷電 流為27kA時的弧后電流典型波形圖。孤后 電流還未達到第一個半波峰值,就突然發(fā)生 擊穿現(xiàn)象。從此可以初步估計出所研究設計 的真空滅孤室的分斷能力。

三、結 論

用真空滅弧室開斷電流時,在一定開斷 電流范圍內,一般不會出現(xiàn)弧后電流,但當 一旦出現(xiàn)弧后電流現(xiàn)象時,可以初步判斷真 空滅孤室的真空電弧的擴散作用已開始減 弱。若再繼續(xù)增大開斷電流時,弧后電流將 隨著開斷電流的增加而增大,至弧后電流有 顯著增加的時刻,這時真空滅孤室可能即將 趨近于極限開斷能力。

真空滅弧室的孤后電流對恢復電壓的速 率特別敏感。從試驗表明,弧后電流隨著恢 復電壓速率的提高而增大。

在極大多數(shù)情況下,正常的弧后電流在


第一個半波后即大幅度衰減,當開斷電流增

大到弧后電流在第二個半波衰減程度不夠顯

著時,則意味著真空滅弧室可館已快達到設

計的極限程度9

參考文獻

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2   Yanabu S0 et al, Post Arc Curr­ent of Vacuum. Interrupters. IEEE Trans, on T&D, 1984

3   Yanabu S. et al. Post Arc After High-Current Interruption in Va­cuum. Vol EI-20, No. 4, August, 1985

4   Yanabu S, et al. Post Arc Curre­

nt in Vacuum Interrupters. IEEE Power Engineering Society ,  1986

WinterMeeting, February 2-7, 1986



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